報 告簡介或簡短摘要: 過渡金屬氧化物一般與Mott絕緣體，小極化子等概念相關聯。除少數d殼層全滿或全空的過渡金屬離子氧化物（二氧化钛，氧化亞銅，氧化鋅等）以外，它們很 少被當作普通的半導體來應用。在本研究中， 我們提出高自旋半滿d殼層的過渡金屬離子氧化物能有望于半導體方面的應用。首先，通過研究岩鹽機構以及閃鋅礦結構的MnO，以及赤鐵礦Fe2O3中空穴或 電子載流子的自陷行為，我們提出了“p-d5”的設計原理[1]。該原理指出四面體配位的二價Mn離子能➿⚽✨➿半導體導電行為。利用該設計原理，通過第一原理計 算，我們成功的找出了一種新的空穴導電型透明導電氧化物——Li摻雜的Cr2MnO4，成功的預測了MnO-ZnO合金應用于光電化學水分解的前景。這兩 項理論預測[2,3]都已經得到了實驗的初步驗證。

參考文獻：

[1] H. Peng and S. Lany, Phys. Rev. B 85, 201202 (2012).

[2] H. Peng, P. F. Ndione, D. S. Ginley, A. Zakutayev, and S. Lany, Phys. Rev. X 5, 021016 (2015).

[3] H. Peng, A. Zakutayev, S. Lany, T. R. Paudel, M. d’Avezac, P. F. Ndione, J. D. Perkins, D. S. Ginley, A. R. Nagaraja, N. H. Perry, T. O. Mason, and A. Zunger, Adv. Funct. Mater. 23, 5267 (2013).

個人簡介: 彭浩為于2009年于中國科學院半導體研究所博士畢業，2009-2014年分别在美國西北大學，國家可再生能源實驗室做博士後研究．２０１４年１０月至今，他在美國天普大學John Perdew教授的研究組裡擔任研究助理教授。他的主要研究方向是半導體缺陷，以及計算材料設計。