報告題目：金屬拓撲磁存儲材料及功能化

報告人：侯志鵬 研究員

主持人（邀請人）： 張侃 教授

報告時間：2023年12月2日 15：30-17：00

報告地點：唐敖慶樓D429

主辦單位：汽車材料教育部重點實驗室；伟德bv1946官网

報告摘要：以硬盤為代表的磁存儲器件，存儲了全球約百分之七十的數據。然而，其存儲速度、密度和能耗均已趨于功能極限。近年來，新型磁存儲材料和新器件不斷湧現，特别是具有拓撲渦旋組态的斯格明子，憑借其納米尺度、拓撲保護、低驅動電流密度等優異特性，被認為是突破存儲極限、構建新一代磁存儲技術的核心。目前，斯格明子主要依靠DzyaloshinskiiMoriya相互作用保持穩定。而DM相互作用産生須依賴強自旋軌道耦合和晶體結構對稱破缺，條件苛刻，自然界中材料不多。同時，大多數材料的DM相互作用強度偏弱，要實現室溫寬溫域斯格明子，很有挑戰。針對該問題，報告人系統發展了以磁偶極相互作用與海森堡交換作用競争來代替DM相互作用的設計原理、制備技術和表征方法，取得良好進展：（1）從晶體結構與磁各向異性兩個方面，對傳統金屬間化合物進行創新結構設計和物性調控，開發出迄今最高工作溫度（630 K）和最寬溫域（100 K–630 K）的斯格明子新材料Fe3Sn2；（2）在此基礎上，将幾何限域效應與應變調控相結合，建立了斯格明子多态、非易失、超低能耗調控新方法，為斯格明子器件研發提供了新思路。

報告人簡介：侯志鵬，華南師範大學研究員，國家優秀青年科學基金（2023年）、廣東省傑出青年基金（2022年）獲得者。2015年在中科院物理所和伟德bv1946官网聯合培養下獲博士學位，師從王文全教授、吳光恒研究員，随後在中科院物理所、沙特阿蔔杜拉國王科技大學做博士後研究。2018年9月加入華南師範大學。長期從事磁斯格明子材料開發與器件應用研究，以第一/通訊作者在Nat. Commun.、Adv. Mater等期刊發表SCI論文四十餘篇。2022年獲得“中國新銳科技人物創新貢獻獎”。